[发明专利]圆片的二氧化硅腐蚀方法无效
| 申请号： | 201010253487.6 | 申请日： | 2010-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101906667A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张春华;张馨月 | 申请（专利权）人： | 无锡春辉科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 214024 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种圆片的二氧化硅腐蚀方法，通过加热丝将腐蚀液温度控制在36～40℃，然后将圆片放入腐蚀液内腐蚀8～12分钟，最后将圆片烘干，其中，所述腐蚀液为NH4F，所述圆片为氧化后的硅片。本发明减少了腐蚀时间，提高了生产效率，并且减少了腐蚀线条的毛刺，提高了化学试剂的活性。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种圆片的二氧化硅腐蚀方法，其特征在于所述方法如下：通过加热丝将腐蚀液温度控制在36～40℃，然后将圆片放入腐蚀液内腐蚀8～12分钟，最后将圆片烘干，其中，所述腐蚀液为NH4F，所述圆片为氧化后的硅片。
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