[发明专利]AlGaInP发光二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201010253677.8 | 申请日： | 2010-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN102376827A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 肖志国;高百卉;常远;高本良;武胜利;王力明;陈向东 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | AlGaInP发光二极管的制备方法。是将发光二极管芯片半切后用腐蚀方法制成，工艺步骤为将发光二极管芯片半切，半切深度40～60um；放置在2寸的真空吸盘上，开启真空；用腐蚀液，对芯片表面进行腐蚀；20～120秒后开启匀速旋转设备，将腐蚀液甩掉，然后冲水；用氮气枪吹干。所述腐蚀液为氨水-双氧水-无离子水溶液(体积配比为1∶2～5∶1)或次氯酸钠腐蚀液(配比为1∶15～20)。腐蚀进行1～2次。通过湿法腐蚀的方法，对任意尺寸发光二极管芯片均适用，亮度提升明显，可以高达12～35％，具有良好的重复性。并且本发明提供的方法设备简单，工艺简单，成本低，尤其适合小尺寸芯片的量产。 | ||
| 搜索关键词： | algainp 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
AlGaInP发光二极管的制备方法，其特征在于将发光二极管芯片半切后用腐蚀方法制成，工艺步骤为：(1)将发光二极管芯片半切，半切深度40‑60um；(2)将整片芯片放置在2寸的真空吸盘上，开启真空；(3)向漏斗里倒入腐蚀液，使腐蚀液均匀的平铺在芯片表面，对芯片进行腐蚀；(4)20～120秒后开启匀速旋转设备，将腐蚀液甩掉，然后冲水；(5)用氮气枪吹干。所述腐蚀液为氨水‑双氧水‑无离子水腐蚀液或次氯酸钠腐蚀液；氨水‑双氧水‑无离子水腐蚀液中氨水、双氧水与无离子水的体积配比为1∶2～5∶1；次氯酸钠腐蚀液中次氯酸钠溶液与水的体积配比为1∶15～20；其中：氨水浓度为28～30％；双氧水的浓度为30～32％；次氯酸钠溶液浓度为5～7％。
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