[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 201010255041.7 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102169712A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 金昇鲁 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有开放位线结构的半导体存储器件，包括正常存储单元模块、参考存储单元模块和读出放大器。所述正常存储单元模块包含多个正常存储单元和与所述正常存储单元相连接的驱动位线。所述参考存储单元模块包括与参考单元电容器相连接的参考位线。所述读出放大器被配置为将所述驱动位线和所述参考位线的电压电平读出并放大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种具有开放位线结构的半导体存储器件，包括：正常存储单元模块，所述正常存储单元模块包括多个正常存储单元和与所述正常存储单元相连接的驱动位线；参考存储单元模块，所述参考存储单元模块包括与参考单元电容器相连接的参考位线；以及读出放大器，所述读出放大器被配置为将所述驱动位线以及所述参考位线的电压电平读出并放大。
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