[发明专利]双浸渍管硅铁浴真空环流炼镁装置及其方法有效
申请号: | 201010255097.2 | 申请日: | 2010-08-17 |
公开(公告)号: | CN101906544A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 牛强;储少军 | 申请(专利权)人: | 牛强 |
主分类号: | C22B26/22 | 分类号: | C22B26/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100864 北京市西城*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了双浸渍管硅铁浴真空环流炼镁的装置及其方法,装置包括:感应炉(101)、真空反应室(104)、上升浸渍管(102)和下降浸渍管(103),上升浸渍管的管壁还连通导流的氩气喷吹管(110);连通的镁蒸气冷凝器(206)、镁液喷淋器(210)和镁液储存器(202),镁矿粉输送和喷射装置(111)~(115)。所述工艺为含硅量30%~65%的硅铁液,温度为1350~1600℃;硅铁液与喷吹入其中的镁矿粉混合物在真空反应装置和感应炉之间环形流动,真空度350Pa~10000Pa,反应生成镁蒸气,经冷凝和镁液喷淋生成镁液入储存装置,浇注镁锭。本发明具有节能低耗、生产率高等优点。 | ||
搜索关键词: | 浸渍 管硅铁浴 真空 环流 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种双浸渍管硅铁浴真空环流炼镁装置,其特征在于,包括:真空反应装置,其包括真空反应室(104)、设置在真空反应室(104)顶部的密封法兰盘盖(119)、并列地连接在真空反应室(104)底部的上升浸渍管(102)和下降浸渍管(103),在真空反应室(104)的顶端及侧壁设置的电弧和等离子体加热器以及附设在真空反应装置上的水平旋转和升降机构;加热装置,其设置在真空反应装置的下方,且为一可倾动、可升降的工频或中频感应炉(101);镁矿粉输送喷射装置,包括多个连通的镁矿粉储存装置(111、112、113、114)和一端与多个连通的镁矿粉储存装置连接的镁矿粉输送喷射管(115),其中,镁矿粉输送喷射管(115)的另一端伸入至所述可倾动、可升降的工频或中频感应炉(101)中;至少一个镁液收集和储存装置,其设置在真空反应室(104)的上部外侧面,其包括和真空反应室(104)连通的镁蒸气冷凝器(206)、设置在镁蒸气冷凝器(206)上部的镁液喷淋器(210)和设置在镁蒸气冷凝器(206)下部的镁液储存器(202);以及真空抽气装置。
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