[发明专利]MOS晶体管源漏应力区的形成方法及MOS晶体管制作方法无效
| 申请号： | 201010255386.2 | 申请日： | 2010-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102376575A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;朱慧珑;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/314;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管源漏应力区的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成牺牲栅；对所述半导体衬底进行离子注入，在牺牲栅两侧的半导体衬底中形成非晶区；在所述半导体衬底上形成包含固有应力的介电层；对所述半导体衬底进行退火处理，在牺牲栅两侧的非晶区位置形成源漏应力区。本发明的MOS晶体管源漏应力区形成方法通过在栅极两侧的源漏区上直接形成包含固有应力的介电层来引入应力，这降低了应力薄膜填充源漏上方的难度，并大大提高了对沟道的应力转换比例。同时，通过源漏区位置预先非晶化的半导体衬底将应力转移到源漏区中，使得刻蚀原介质层、形成侧壁后沟道区的应力仍然保持，所述应力变化提高了载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 应力 形成 方法 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管源漏应力区的形成方法，其特征在于，包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成牺牲栅；对所述半导体衬底进行离子注入，在牺牲栅两侧的半导体衬底中形成非晶区；在所述半导体衬底上形成包含固有应力的应力介电层；对所述半导体衬底进行退火处理，在牺牲栅两侧的非晶区位置形成源漏应力区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
