[发明专利]晶片封装体及其制造方法有效
| 申请号： | 201010256060.1 | 申请日： | 2010-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN102082120A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡佳伦;郑家明;尤龙生 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，其可在实施封装层的切割制程前，先通过晶片保护层或增设的蚀刻阻挡层覆盖在导电垫上，避免导电垫被切割残余物损害及刮伤。本发明还可选择以晶片保护层、晶片保护层上增设的蚀刻阻挡层或与导电垫同一位阶高度的金属蚀刻阻挡层或其组合，来对结构蚀刻区的层间介电层和硅基板进行蚀刻，以形成开口，便于后续半导体结构的制作，同时提高晶片封装体的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片封装体，其特征在于，包括：一半导体基板，具有一结构蚀刻区、一元件区和一接垫区；多个导电垫，设置于该半导体基板的该接垫区上；一晶片保护层，覆盖于该半导体基板上；一绝缘蚀刻阻挡层及/或一金属蚀刻阻挡层，该绝缘蚀刻阻挡层位于该晶片保护层上，该金属蚀刻阻挡层与所述导电垫位于同一位阶高度；其中，于该结构蚀刻区处，该晶片保护层与该绝缘蚀刻阻挡层及/或该金属蚀刻阻挡层具有一连通的开口；及一封装层，覆盖该晶片保护层，其中该封装层、该晶片保护层及/或该绝缘蚀刻阻挡层，具有暴露出所述导电垫的开口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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