[发明专利]纳米光刻掩模硅片间隙测量及调平装置无效
| 申请号： | 201010256375.6 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101950132A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 周绍林;胡松;唐小萍;赵立新;杨勇;陈旺富;徐峰;陈明勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 纳米光刻掩模硅片间隙测量及调平装置由光源激光管发出的单色平面波经第一反射镜反射后，垂直入射位于掩模标记区域内的第一标记光栅和第二标记光栅，从第一标记光栅透射的衍射光B1经硅片表面反射与另一束直接从第二标记光栅上反射的衍射光束B2，经反射镜二偏转后被物镜接收，最后汇聚于物镜的像面并发生双光束干涉，由CCD探测器记录干涉条纹，并根据条纹的移动或者相位变化状况调节实现间隙测量控制。本发明的测量灵敏度极高、实用性强，对纳米光刻中的掩模硅片调平、间隙测量及控制相关领域具有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 光刻 硅片 间隙 测量 平装 | ||
【主权项】：
纳米光刻掩模硅片间隙测量及调平装置，其特征在于包括：激光管(1)、第一反射镜(2)、掩模(3)、硅片(4)、第一标记光栅(5)、第二标记光栅(6)、第二反射镜(7)、物镜(8)和CCD探测器(9)；所述第一标记光栅(5)和第二标记光栅(6)相邻地同时位于掩模(3)上，且第一标记光栅(5)和第二标记光栅(6)周期接近；在纳米光刻工作间隙范围内，由激光管(1)发出单色平面波经第一反射镜(2)偏转后，垂直入射位于掩模(3)上的第一标记光栅(5)和第二标记光栅(6)时发生衍射；一束来自于第一标记光栅(5)的透射衍射光B1在掩模和硅片间隙内传播并经硅片(4)表面反射返回，在掩模(3)上与第二标记光栅(6)的反射衍射光束B2相遇，发生双光束干涉；经过第二反射镜(7)偏转后，所述两束光B1、B2被物镜(8)接收，并利用位于物镜(8)像面上的CCD探测器(9)记录双光束干涉强度条纹；最后，利用干涉条纹的移动或相位变化探测间隙变化量，通过在三个位置处的间隙控制实现掩模和硅片调平。
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