[发明专利]微电极阵列与微流通道集成的传感器结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201010256838.9 | 申请日： | 2010-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101915793A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 王春霞;阚强;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微电极阵列与微流通道集成的传感器结构及其制作方法，该结构包括含磷酸根离子敏感膜的检测单元、微流通道及电信号输出接口。磷酸根离子检测单元及电信号输出接口位于硅片衬底材料上，在传感单元上面是由PDMS材料制作的微流通道。磷酸根离子检测单元是由金属钴电极和Ag/AgCl电极构成的对电极结构，金属钴电极对磷酸根有特异性响应，通过测量两个电极间电势差，即可得到溶液中磷酸根离子浓度。本发明提供的用于磷酸根离子检测的微电极阵列传感器可以利用半导体微加工技术进行制作，体积小，易于制作便携式检测仪器。 | ||
| 搜索关键词： | 微电极 阵列 流通 集成 传感器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种微电极阵列与微流通道集成的传感器结构，其特征在于，该结构自下而上依次由硅衬底、二氧化硅绝缘层、电极层、PDMS微流通道层构成。
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