[发明专利]一种宽谱光伏效应的双结太阳电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201010256972.9 | 申请日： | 2010-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101964373A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 韩培德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05;H01L31/0352;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种宽谱光伏效应的双结太阳电池及其制备方法，该电池是在第一导电类型衬底的迎光面上依序具有一迎光面第二导电类型层和一介质钝化层，所述介质钝化层表面为广谱减反结构；在所述第一导电类型衬底背光面上依序具有一背光面第一导电类型层及一背光面第二导电类型层；在所述迎光面第二导电类型层上形成第一电极、在所述背光面第二导电类型层上形成第二电极、在所述背光面第一导电类型层上形成第三电极，构成所述双结太阳电池；相邻电池的同种电极相互连接，调整电压及并联，形成电池板组件的两端输出。利用本发明，拓宽了电池的光电转换谱，从而提高电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽谱光伏 效应 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种宽谱光伏效应的双结太阳电池，其特征在于，该电池是在第一导电类型衬底的迎光面上依序具有一迎光面第二导电类型层和一介质钝化层，所述介质钝化层表面为广谱减反结构；在第一导电类型衬底的背光面依序具有一背光面第一导电类型层及一背光面第二导电类型层；在所述迎光面第二导电类型层上形成第一电极、在所述背光面第二导电类型层上形成第二电极、在所述背光面第一导电类型层上形成第三电极，构成所述双结太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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