[发明专利]模拟顶层次顶层金属不等厚的多电流路径叠层电感的电路结构无效
| 申请号： | 201010257559.4 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102376701A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王生荣;蔡描 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种模拟顶层次顶层金属不等厚的多电流路径叠层电感的电路结构；包括：顶层厚金属模拟电路，其采用电阻Rs01和电感Ls01串联；次顶层薄金属模拟电路，其采用电感Ls02和可变电阻网络串联，可变电阻网络连接方式为：串联连接的电阻Rs22、电感Ls22作为一条支路和由单独一个电阻Rs02组成的另一支路并联。本发明可以采用简单的电路拓扑结构，准确的模拟顶层次顶层金属不等厚的多电流路径叠层电感的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 模拟 层次 顶层 金属 不等 电流 路径 电感 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种模拟顶层次顶层金属不等厚的多电流路径叠层电感的电路结构；其特征在于，包括：顶层厚金属模拟电路，其采用电阻Rs01和电感Ls01串联；次顶层薄金属模拟电路，其采用电感Ls02和可变电阻网络串联，可变电阻网络连接方式为：串联连接的电阻Rs22、电感Ls22作为一条支路和由单独一个电阻Rs02组成的另一支路并联。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
