[发明专利]三氯氢硅混合气除杂处理方法和装置无效
| 申请号： | 201010257626.2 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101913609A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 林韬;张华端;陈少华 | 申请（专利权）人： | 天威四川硅业有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;C01B33/03 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 611430 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了三氯氢硅混合气除杂处理方法和装置，采用四氯化硅液体对三氯氢硅混合气在气汽混合物增湿塔中进行一次喷淋，通过四氯化硅吸附金属氯化物和硅尘，并在三氯氢硅混合气中通入湿氢反应生成SiO2，通过SiO2吸附三氯氢硅混合气中的硼、磷；再在鼓泡塔中对三氯氢硅混合气进行四氯化硅液体二次喷淋，进一步脱除金属氯化物，得到三氯氢硅合成气产品；同时，用于收集两次喷淋后得到四氯化硅的鼓泡塔釜连接到洗涤液精馏塔，将带杂质的的四氯化硅进行精馏提纯，再循环用于喷淋工序；本发明采用湿法除杂，可充分去除三氯氢硅混合气中的杂质，得到高品质精制三氯氢硅，并且实现了四氯化硅的循环利用，从而实现了节能降耗减排。 | ||
| 搜索关键词： | 三氯氢硅 混合 杂处 方法 装置 | ||
【主权项】：
三氯氢硅混合气除杂处理方法，其特征在于处理步骤为：首先采用四氯化硅液体对三氯氢硅混合气进行一次喷淋，通过四氯化硅吸附金属氯化物和硅尘；然后再在三氯氢硅混合气中通入湿氢反应生成SiO2，通过SiO2吸附三氯氢硅混合气中的硼、磷；最后再对三氯氢硅混合气进行四氯化硅液体的二次喷淋，进一步脱除金属氯化物，得到三氯氢硅合成气产品；同时，对于两次喷淋处理后得到的四氯化硅进行精馏提纯处理，再循环用于喷淋工序。
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