[发明专利]含噻吩吡咯二酮单元的共聚物及其制备方法和应用

摘要

本发明属于光电子材料领域，其公开了一种含噻吩吡咯二酮单元的共聚物及其制备方法和应用；该共聚物具有通式(I)，式中：R1、R2、R3为C1-C20的烷基；n的取值范围为大于1小于等于100的整数。与现有技术相比，本发明通过引入烷基提高产物的溶解性和分子量，以实现可旋涂的聚合物或可旋涂的寡聚物；由噻吩吡咯二酮类单体和噻吩并噻吩类单体构成的聚合物能够形成一种很强的给体-受体结构，一方面有利于提高了材料的稳定性，另一方面有利于降低材料的能带隙，从而扩大太阳光吸收范围，提高光电转化效率。

主权项

1.下述通式(I)的含噻吩吡咯二酮单元的共聚物：式中：R₁、R₂、R₃为C₁-C₂₀的烷基；n的取值范围为大于1小于等于100的整数。