[发明专利]电子束熔炼高效去除硅中杂质磷的方法及装置有效
| 申请号： | 201010259593.5 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101941698A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 战丽姝;谭毅;董伟;李国斌 | 申请（专利权）人： | 大连隆田科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 陈红燕 |
| 地址： | 116025 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子束熔炼高效去除硅中杂质磷的方法及装置，所述方法利用电子枪轰击高磷的棒状多晶硅，所述棒状多晶硅边旋转边连续下移至电子枪的轰击区域，在棒状多晶硅的下端部表面不断熔化，在此过程中，硅中的挥发性杂质，包括磷、铝、钙，在电子束和高真空的作用下，以气态的形式被去除；熔化的液态硅在重力的作用下滴在水冷铜坩埚内并形成低磷的硅锭。上述方法中熔池不在水冷铜坩埚中，电子束的能量很少会被水冷带走，能量的利用效率达到现有技术的3倍以上，并且提纯效果好，技术稳定，工艺简单，可以完成连续熔炼，生产效率高，适合批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 熔炼 高效 去除 杂质 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种电子束熔炼高效去除硅中杂质磷的方法，利用电子枪轰击高磷的多晶硅使硅熔化，在此过程中，硅中的挥发性杂质，包括磷、铝、钙，在电子束和高真空的作用下，以气态的形式被去除；其特征在于：所述多晶硅采用棒状形式，在电子枪的轰击作用下，棒状多晶硅边旋转边连续下移至电子枪的轰击区域，在棒状多晶硅的下端部表面不断熔化，熔化的液态硅在重力的作用下滴在水冷铜坩埚内并形成低磷的硅锭；所述低磷硅锭的含磷量为0.00005％以下。
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