[发明专利]一种用于微纳材料的尺寸缩减方法及电极制作方法无效
| 申请号： | 201010259775.2 | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101966977A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 李无瑕;顾长志;崔阿娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用FIB低束流扫描刻蚀方法实现微纳材料尺寸缩减的方法及电极制作方法。该方法采用低束流FIB刻蚀，使刻蚀具有原子尺度分辨率的图形加工精度，还可以用来对三维复杂纳米结构从不同入射角度、不同部位进行选择性尺寸缩减。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 材料 尺寸 缩减 方法 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于微纳材料的尺寸缩减方法，其特征在于，采用FIB低束流扫描刻蚀方法实现尺寸缩减。
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