[发明专利]一种自对准的U型凹槽制造方法

摘要

本发明属于半导体芯片技术领域，具体为一种自对准的U型沟槽制造方法。包括：以氧化硅为掩膜刻蚀半导体衬底；形成氮化硅侧墙；在暴露的半导体衬底上生长氧化硅；剥除氮化硅侧墙；以氧化硅为掩膜刻蚀暴露出的半导体衬底形成器件的U型沟槽。本发明采用自对准的技术来制造U型沟槽，可以降低图形的对准失配，提高产品的制造良率，特别适用于隧穿晶体管的制造。

主权项

一种自对准的U型沟槽制造方法，具体步骤包括：提供一个半导体衬底；在所述半导体衬底上氧化形成第一层氧化硅薄膜；刻蚀部分所述第一层氧化硅薄膜暴露出半导体衬底,并继续刻蚀暴露出的半导体衬底；淀积一层氮化硅薄膜；刻蚀所述的氮化硅薄膜形成氮化硅侧墙,并暴露出半导体衬底；进行氧化,在所述的暴露的半导体衬底上氧化形成第二层氧化硅薄膜；去除所述的氮化硅侧墙；以第一层氧化硅和第二层氧化硅薄膜为掩膜，刻蚀暴露出的半导体衬底形成器件的U型沟槽。