[发明专利]固体摄像装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010261189.1 申请日: 2010-08-19
公开(公告)号: CN101997017A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 山下浩史 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/335;H04N5/341;H04N5/225
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈萍
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种背面照射型的固体摄像装置及其制造方法,在SOI基板的半导体层的表面上,形成具有与像素图形对应的开口的掩膜,并使用上述掩膜从上述半导体层的表面侧向该层内离子注入第二导电型的杂质,从而形成第二导电型的光电转换部,并且由未被离子注入的部分形成像素分离区域。接着,在去除上述掩膜之后,在上述半导体层的表面部形成用于读出由上述光电转换部得到的光信号的信号扫描电路。接着,在上述半导体层的表面侧接合支承基板之后,从上述半导体层剥离上述半导体基板及埋入绝缘膜。
搜索关键词: 固体 摄像 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种背面照射型的固体摄像装置的制造方法,包括以下步骤:准备在半导体基板上隔着埋入绝缘膜形成了第一导电型的半导体层的基板,并在该基板的上述半导体层的表面上形成掩膜,该掩膜具有与像素图形对应的开口;使用上述掩膜从上述半导体层的表面侧向该层内离子注入第二导电型的杂质,通过该离子注入形成作为上述像素的第二导电型的光电转换部,并且将未被离子注入的部分作为像素分离区域仍保持为第一导电型;在去除上述掩膜之后,在上述半导体层的表面部形成信号扫描电路,该信号扫描电路用于读出由上述光电转换部得到的光信号;在形成了上述信号扫描电路的上述半导体层的表面侧,粘结支承基板;在粘结了上述支承基板之后,从上述半导体层去除上述半导体基板以及埋入绝缘膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010261189.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top