[发明专利]固体摄像装置及其制造方法有效
申请号: | 201010261189.1 | 申请日: | 2010-08-19 |
公开(公告)号: | CN101997017A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 山下浩史 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/341;H04N5/225 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种背面照射型的固体摄像装置及其制造方法,在SOI基板的半导体层的表面上,形成具有与像素图形对应的开口的掩膜,并使用上述掩膜从上述半导体层的表面侧向该层内离子注入第二导电型的杂质,从而形成第二导电型的光电转换部,并且由未被离子注入的部分形成像素分离区域。接着,在去除上述掩膜之后,在上述半导体层的表面部形成用于读出由上述光电转换部得到的光信号的信号扫描电路。接着,在上述半导体层的表面侧接合支承基板之后,从上述半导体层剥离上述半导体基板及埋入绝缘膜。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种背面照射型的固体摄像装置的制造方法,包括以下步骤:准备在半导体基板上隔着埋入绝缘膜形成了第一导电型的半导体层的基板,并在该基板的上述半导体层的表面上形成掩膜,该掩膜具有与像素图形对应的开口;使用上述掩膜从上述半导体层的表面侧向该层内离子注入第二导电型的杂质,通过该离子注入形成作为上述像素的第二导电型的光电转换部,并且将未被离子注入的部分作为像素分离区域仍保持为第一导电型;在去除上述掩膜之后,在上述半导体层的表面部形成信号扫描电路,该信号扫描电路用于读出由上述光电转换部得到的光信号;在形成了上述信号扫描电路的上述半导体层的表面侧,粘结支承基板;在粘结了上述支承基板之后,从上述半导体层去除上述半导体基板以及埋入绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的