[发明专利]一类噻吩有机半导体材料及其制备方法和应用

摘要

本发明属于光电子材料领域，其公开了一类噻吩有机半导体材料及其制备方法和应用；该共聚物具有通式(P)，式中：x+y＝2；x≥1，0＜y＜1；1＜n≤100；R1、R4为C1-C20的烷基；R2、R3为氢、C1～C20的烷基；或R2、R3为C1～C20的烷基或C1～C20的烷氧基取代的苯基；或R2、R3为苯基。与现有技术相比，该有机半导体材料通过环戊二烯[2，1-b：3，4-b′]二噻吩单元、噻吩单元和和喹喔啉单元聚合而成，增加了该有机半导体材料的载流子迁移率，扩宽了光谱响应，具有良好的载流子传输性质、电化学性质，以及可利用简便的方法引入烷基等提高溶解度。该有机半导体材料的制备工艺简单，易于操作和控制，适合于工业化生产。

主权项

1.下述通式(P)的一类噻吩有机半导体材料：式中：x+y＝2；1≤x＜2，0＜y≤1；1＜n≤100；R₁、R₄为C₁-C₂₀的烷基；R₂、R₃为氢、C₁～C₂₀的烷基；或R₂、R₃为C₁～C₂₀的烷基或C₁～C₂₀的烷氧基取代的苯基；或R₂、R₃为苯基。