[发明专利]一种制备高纯度单壁碳纳米管垂直阵列的方法无效
| 申请号： | 201010262098.X | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101948105A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 赵斌;杨俊和;王现英;杨光智;何星;唐志红;张磊 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 | 代理人： | 宁芝华 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高纯度单壁碳纳米管垂直阵列的方法。具体而言，涉及一种常压下的水分辅助化学气相沉积方法，为以氧化铝负载的过渡金属Fe为催化剂，以惰性气体和氢气为载气，通过向化学气相沉积气氛中添加50-1000ppm浓度的水分以提高催化剂效率和寿命，制得垂直于基片排列的高纯度单壁碳纳米管。本发明方法可在十分钟之内生长出较高的碳纳米管阵列，并且单壁纳米管的碳纯度可高达99wt%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纯度 单壁碳 纳米 垂直 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种制备垂直排列单壁碳纳米管阵列的方法，为基于常压化学气相沉积技术，以氧化铝负载的Fe为催化剂，惰性气体和氢气为载气，通过向生长气氛中添加50‑1000ppm浓度的水分，制得垂直于基片排列的单壁碳纳米管。
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