[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201010262402.0 | 申请日: | 2010-08-25 |
公开(公告)号: | CN102082184A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 许闰成;朴胜一;金根柱 | 申请(专利权)人: | SNT能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人: | 金利琴 |
地址: | 韩国京畿道华城*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开一种太阳能电池及其制造方法,其包含一基质,该基质表面经处理以降低太阳反射系数,一由气相沉积的量子点层,并在该基质表面形成一薄膜物质,一N接面层形成于量子点层上部,一射极形成于N接面层,且被传射至量子点层的入射光分离的多个电荷传送至射极,一防止反射覆盖层形成于N接面层的上部与射极,以防止反射光。当光穿过于N接面层与多层形成的量子点,可能会生成来自不同区域的能带隙能量,因此,各区域能带隙能量使得电荷分离,而这些分离的电荷产生电力,所以广泛的纳入太阳光谱的波长可增加产生的电力,并且可制造超高效能的太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于:包含:一基质,该基质表面处理以降低太阳反射系数;一量子点层,由气相沉积,并在所述基质表面形成一薄膜物质;一N接面层,形成在所述量子点层上部;一射极,形成于所述N接面层,且被传射至所述量子点层的入射光分离的多个电荷传送至该射极;以及一防止反射覆盖层,形成于所述N接面层的上部与射极,以防止反射光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的