[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010262402.0 申请日: 2010-08-25
公开(公告)号: CN102082184A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 许闰成;朴胜一;金根柱 申请(专利权)人: SNT能源技术有限公司
主分类号: H01L31/02 分类号: H01L31/02;H01L31/042;H01L31/18
代理公司: 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 代理人: 金利琴
地址: 韩国京畿道华城*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开一种太阳能电池及其制造方法,其包含一基质,该基质表面经处理以降低太阳反射系数,一由气相沉积的量子点层,并在该基质表面形成一薄膜物质,一N接面层形成于量子点层上部,一射极形成于N接面层,且被传射至量子点层的入射光分离的多个电荷传送至射极,一防止反射覆盖层形成于N接面层的上部与射极,以防止反射光。当光穿过于N接面层与多层形成的量子点,可能会生成来自不同区域的能带隙能量,因此,各区域能带隙能量使得电荷分离,而这些分离的电荷产生电力,所以广泛的纳入太阳光谱的波长可增加产生的电力,并且可制造超高效能的太阳能电池。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于:包含:一基质,该基质表面处理以降低太阳反射系数;一量子点层,由气相沉积,并在所述基质表面形成一薄膜物质;一N接面层,形成在所述量子点层上部;一射极,形成于所述N接面层,且被传射至所述量子点层的入射光分离的多个电荷传送至该射极;以及一防止反射覆盖层,形成于所述N接面层的上部与射极,以防止反射光。
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