[发明专利]集成于铜互连后端结构的CuxO电阻型存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201010262424.7 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102544354A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;王明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于存储器技术领域，具体为一种集成于铜互连后端结构的CuxO电阻型存储器及其制备方法。该存储器包括铜引线下电极、CuxO存储介质层、上电极；其中，铜引线包括覆盖于电镀铜之上的第一扩散阻挡层和第一铜籽晶层，CuxO存储介质层氧化形成于第一铜籽晶层上。其制备方法包括：提供铜互连后端结构的铜引线；在铜引线上构图依次形成第一扩散阻挡层和第一铜籽晶层；对铜籽晶层构图氧化形成CuxO存储介质层；在CuxO存储介质层上形成上电极。其中，1＜x≤2。该CuxO电阻型存储器是对铜籽晶层氧化形成，存储特性得以大大提高，尤其是在均匀性方面和薄膜品质的可控性方面。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 互连 后端 结构 cu sub 电阻 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成于铜互连后端结构的CuxO电阻型存储器，所述CuxO电阻型存储器包括铜引线下电极、CuxO存储介质层、上电极；其特征在于，所述铜引线包括覆盖于电镀铜之上的第一扩散阻挡层和第一铜籽晶层，所述CuxO存储介质层氧化形成于所述第一铜籽晶层上；其中，1＜x≤2。
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