[发明专利]一种硅基液晶显示器件的场缓存像素电路有效
| 申请号： | 201010263098.1 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102376282A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 赵博华;黄苒;杜寰;罗家俊;林斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G09G3/36 | 分类号： | G09G3/36;G02F1/133 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基液晶显示器件的场缓存像素电路，其特征在于，该电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、存储电容和像素电容，其中，存储电容在预充电阶段充电至电源电压；在第三晶体管导通时写入输入数据电压Vdata，此时存储电容放电至Vdata+VTH2，VTH2为第二晶体管的阈值电压；在数据读入阶段，第五晶体管导通，此时存储电容的电压为Vdata+VTH2，像素电容充电至Vdata。本发明由于在将输入数据电压写入到存储电容上时补偿了一个阈值电压，因此抵消了存储电容上电压读入到像素电容上所损失的一个阈值电压，输出像素电压的一致性得到保证，从而显示效果得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 液晶显示 器件 缓存 像素 电路 | ||
【主权项】：
一种硅基液晶显示器件的场缓存像素电路，其特征在于，该电路包括第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)、第六晶体管(M6)、存储电容(C1)和像素电容(C2)，其中，存储电容(C1)在预充电阶段充电至电源电压；在第三晶体管(M3)导通时写入输入数据电压Vdata，此时存储电容(C1)放电至Vdata+VTH2，VTH2为第二晶体管的阈值电压；在数据读入阶段，第五晶体管(M5)导通，此时存储电容(C1)的电压为Vdata+VTH2，像素电容(C2)充电至Vdata。
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