[发明专利]键合和转移层的工艺无效
| 申请号： | 201010263322.7 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102034687A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | C·拉加厄布兰夏德 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种键合和转移层的工艺，所述工艺用于制造衬底的过程中，所述衬底特别应用于电子、光学或光电子领域。所述工艺包括下列步骤：通过分子吸附力键合所述接收衬底(2)和施主衬底(1)，对所述堆叠应用热处理从而结合键合界面(5)，通过研磨减薄施主衬底(1)，执行施主衬底(1)以及一部分接收衬底(2)的环形修整，在上述步骤之后，执行施主衬底(1)的剩余部分的暴露表面和接收衬底(2)的暴露表面的化学蚀刻步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 工艺 | ||
【主权项】：
一种将材料层(12)键合和转移到接收衬底(2)上的工艺，所述工艺用于制造衬底(6)的过程中，所述衬底(6)特别应用于电子、光学或光电子领域，其特征在于，所述工艺包括下列步骤：通过分子吸附力键合所述接收衬底(2)和施主衬底(1)，对上述堆叠应用热处理从而结合键合界面(5)，通过研磨减薄施主衬底(1)，执行施主衬底(1)以及一部分接收衬底(2)的环形修整，在上述步骤之后，执行施主衬底(1)的剩余部分的暴露表面和接收衬底(2)的暴露表面的化学蚀刻步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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