[发明专利]化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法有效
| 申请号： | 201010263325.0 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102373445A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 蒋麒;毕磊 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/455;H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法，将自动测漏步骤加入到化学气相淀积跑片过程的氢氟酸清洗步骤中。采用该方法进行化学气相淀积反应腔中漏率的监测，可以做到实时监测，减少在机台异常情况下制造产品的状况发生，一旦有问题可以报警并及时解决；并且将漏率监测植入到正常的产品制造流程之中，对机台的可服务时间没有影响；同时，采用此方法，在机台做完漏率监测步骤之后可以直接执行后续的开启等离子体等步骤，可以避免手动测漏，机台反应腔降温而死机。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 气相淀积 反应 腔中漏率 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法，其特征在于，将测漏步骤加入到化学气相淀积跑片过程的氢氟酸清洗步骤中。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
