[发明专利]半导体器件的制造系统与制造方法无效

专利信息
申请号: 201010263401.8 申请日: 2004-09-07
公开(公告)号: CN101937836A 公开(公告)日: 2011-01-05
发明(设计)人: 牛久幸广;柿沼英则;秋山龙雄;首藤俊次;安部正泰;小松茂;小川章 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种半导体器件的制造系统和方法。通过恰当地管理加工处理装置的维修间隔,缩短半导体器件的制造工序期间。本发明的半导体器件制造系统具有:实行采用半导体基板(17)的加工处理的处理装置(14);从处理装置(14)接收装置信息进行处理装置(14)自管理的自诊断系统(11a);检查加工处理结果的检查装置(19);基于检查结果判定处理装置(14)能否自动修复,并在判定结果为有效判定时维持自诊断系统(11a)的参数,为无效判定时变更这种参数的计算机(11)。
搜索关键词: 半导体器件 制造 系统 方法
【主权项】:
一种半导体器件制造系统,其特征在于,它具有:实行半导体基板的加工处理的第一处理装置及第二处理装置;控制上述第一处理装置及第二处理装置的处理控制装置;使上述半导体基板的加工处理进行,监视上述第一处理装置及上述第二处理装置的状态,取得上述第一处理装置的加工处理之中的作为处理内容信息的与晶片的批号和晶片的处理履历有关的数据以及加工处理之外的事件信息,将晶片处理中的上述第一处理装置的上述处理内容信息传送给第一处理工序的自诊断系统,并且将上述第一处理装置的上述事件信息传送给上述第二处理装置的自诊断系统的模拟器,上述第二处理装置的自诊断系统将上述事件信息实时地反映给进行晶片处理的第二处理工序。
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