[发明专利]鳍式场效应晶体管的掺杂方法无效
| 申请号： | 201010263807.6 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102237278A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;黄玉莲;余德伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/225 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例包括鳍式场效应晶体管(fin??field-effect??transistors，FinFET)的掺杂方法。在该方法中，形成一包含掺质的富掺质层(dopant-richlayer)在基板的半导体鳍板(semiconductor??fin)的顶表面及侧壁上。形成盖层以覆盖富掺质层。对基板进行回火以将掺质由富掺质层趋入半导体鳍板中。本发明的多种实施例可改善传统LDD工艺的缺点。例如，在不同实施例中形成富掺质层、形成盖层以及将杂质趋入LDD区以达所需厚度却不用顾虑阴影效应及PAI孪晶界缺陷的回火工艺。因此，可改善装置的电性。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂鳍式场效应晶体管的方法，包括：提供一基板，该基板包括一半导体鳍板形成于该基板的一表面上，其中该半导体鳍板具有一顶表面及侧壁；沉积一包括掺质的富掺质层于该半导体鳍板的该顶表面及侧壁上；沉积一盖层在该富掺质层上；以及该基板回火以将该掺质由该富掺质层趋入该半导体鳍板中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010263807.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于风力涡轮机的齿轮箱
- 下一篇：一种汽车碳罐气密性检测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
