[发明专利]基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电路互联方法无效
| 申请号： | 201010264053.6 | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101969042A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 崔晴宇;郭小军;叶志成;李争光 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体技术领域的基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电路互联方法，通过在晶体管阵列的衬底上制备一层绝缘层，然后在绝缘层上制备导电薄膜，再通过采用激光干涉曝光法制成导电栅后，最后用喷墨打印方式在导电栅上分别打印绝缘层刻蚀剂和导电材料制成导电过孔，实现薄膜晶体管阵列的电路连接。本发明利用激光干涉曝光实现基础高精度相互平行的金属线，同时通过喷墨打印技术则可以部分修饰金属线，更重要的是实现两层互相垂直的金属线之间的互联。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 喷墨 印刷 激光 干涉 曝光 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种基于喷墨印刷与激光干涉曝光的电路互联方法，其特征在于，通过在晶体管阵列的衬底上制备一层绝缘层，然后在绝缘层上制备导电薄膜，再通过采用激光干涉曝光法制成导电栅后，最后用喷墨打印方式在导电栅上分别打印绝缘层刻蚀剂和导电材料制成导电过孔，实现薄膜晶体管阵列的电路连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
