[发明专利]LED芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 201010264089.4 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376836A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李振铎 | 申请（专利权）人： | 上海博恩世通光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 200030 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片包括第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层；所述LED芯片在刻蚀后，LED芯片的侧壁与垂直线的典型夹角为30°-60°；所述LED芯片的上述区域呈正台形。本发明提出的LED芯片及其制造方法，LED芯片刻蚀后的所有侧壁与垂直线典型夹角成30deg到60deg，芯片的这种侧壁结构增加了侧向光源的出光面积，同时给光子提供更多的出射几率，出射角度在临界角以外的光也可通过芯片侧面的多次折射，最后进入临界角内，使芯片获得更多的出光。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于：所述LED芯片在刻蚀后，LED芯片的侧壁与垂直线的典型夹角为30°‑60°；所述LED芯片的上述区域呈正台形。
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