[发明专利]腔室内清洁方法有效
| 申请号： | 201010264380.1 | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102013388A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 本田昌伸;花冈秀敏;平野太一;三村高范;岩田学;冈城武敏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种高效率地去除堆积在ESC的外周部的以CF为主要成分且含有Si和Al的肩部堆积物的腔室内清洁方法。朝向ESC(24)的外周部(24a)以压力400～800mTorr供给由O2气体和含F气体构成的混合气体，有选择性地对ESC(24)的外周部(24a)照射由该混合气体生成的等离子体，并且，对ESC(24)的除外周部(24a)之外的上部表面供给作为掩蔽气体的O2单一气体，防止ESC(24)的除外周部(24a)之外的上部表面暴露于F自由基中，一边分解、去除附着在该外周部(24a)的肩部堆积物(50)。 | ||
| 搜索关键词： | 室内 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种腔室内清洁方法，其是去除附着于台状的静电吸盘的外周部的以CF为主要成分且含有Si和金属中至少一方的堆积物的腔室内清洁方法，该台状的静电吸盘设于用于对基板实施等离子处理的基板处理装置的腔室内，用于载置上述基板，其特征在于，使由氧气和含氟气体构成的混合气体所生成的等离子体照射上述静电吸盘的外周部而去除上述堆积物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
