[发明专利]有源矩阵基板和显示装置有效
申请号: | 201010264496.5 | 申请日: | 2005-01-25 |
公开(公告)号: | CN101964324A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 八木敏文;津幡俊英;武内正典;久田佑子 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的有源矩阵基板可以很容易修复由于导电性异物或绝缘膜的销钉孔引起的保持电容电极间的短路或数据信号线与保持电容上电极的短路而发生的保持电容元件的不良。本发明的有源矩阵基板,具有设置在基板上的扫描信号线与数据信号线的交点的、栅极电极与扫描信号线连接、源极电极与数据信号线连接、漏极电极与接续电极连接的薄膜晶体管;和隔着绝缘膜与保持电容配线相对而设置的保持电容上电极,其特征在于:该保持电容上电极在与保持电容配线相对的区域由3个分割电极构成,该3个分割电极通过接触孔与像素电极连接,该分割电极中,仅位于中央位置的分割电极与接续电极连接。 | ||
搜索关键词: | 有源 矩阵 显示装置 | ||
【主权项】:
一种有源矩阵基板,具有设置在基板上的扫描信号线与数据信号线的交点的、栅极电极与扫描信号线连接、源极电极与数据信号线连接、漏极电极与接续电极连接的薄膜晶体管;和隔着绝缘膜与保持电容配线相对而设置的保持电容上电极,其特征在于:该保持电容上电极在与保持电容配线相对的区域由3个分割电极构成,该3个分割电极通过接触孔与像素电极连接,该分割电极中,仅位于中央位置的分割电极与接续电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造