[发明专利]多晶硅栅极结构有效
| 申请号： | 201010265303.8 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102376756A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 刘继全;彭虎 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅栅极结构，包括：硅衬底，位于该硅衬底上的一层栅氧化层；位于所述栅氧化层上的具有多层结构的栅极，该多层结构由上至下依次为金属硅化物，钨硅和多晶硅。本发明还公开了一种所述多晶硅栅极结构的制作方法。本发明能进一步降低多晶硅栅极的电阻，栅极电阻率最小可以做到1ohms/sq。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 栅极 结构 | ||
【主权项】：
一种多晶硅栅极结构，包括：硅衬底，位于该硅衬底上的一层栅氧化层；其特征在于，还包括位于所述栅氧化层上的具有多层结构的栅极，该多层结构由上至下依次为金属硅化物，钨硅和多晶硅。
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