[发明专利]硅外延膜厚测试标准片的制作方法无效
| 申请号： | 201010265314.6 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102376534A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G01B11/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅外延膜厚标准片的制作方法，包括如下步骤：步骤一、在硅基底上淀积一层介质膜；步骤二、对所述介质膜进行图形化并且刻蚀，在硅基底上形成由所述介质膜构成的图形；步骤三、在所述硅基底上选择性生长硅外延层；步骤四、去除所述介质膜；步骤五、测定去除介质膜后由所述硅外延层形成的沟槽的深度，将该深度作为相邻硅外延层的标准厚度。本发明能提高硅外延测定精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 测试 标准 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅外延膜厚标准片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅基底上淀积一层介质膜；步骤二、对所述介质膜进行图形化并且刻蚀，在硅基底上形成由所述介质膜构成的图形；步骤三、在所述硅基底上选择性生长硅外延层；步骤四、去除所述介质膜；步骤五、测定去除介质膜后由所述硅外延层形成的沟槽的深度，将该深度作为相邻硅外延层的标准厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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