[发明专利]增强式高电子移动率晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010265787.6 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102376760A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张翼;张嘉华;林岳钦 | 申请（专利权）人： | 财团法人交大思源基金会 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种增强式高电子移动率晶体管及其制造方法，其包括：一缓冲层，磊晶于一基板上；一源级及漏极，形成于该缓冲层上；多个P-N接面，其是由多层堆栈的P-N接面形成于该缓冲层上、及该源级与漏极之间；及一栅极，形成于该P-N接面的堆栈上；其中该P-N接面由一P型及一N型半导体层所构成。本发明的增强式高电子移动率晶体管及其制造方法，可改善现有技术的深凹陷式栅极结构或四氟化碳等离子处理方式制作增强式氮化镓晶体管效能不佳的问题。并大幅提高增强式高电子移动率晶体管的临限电压。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 电子 移动 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种增强式高电子移动率晶体管，其特征在于，包括：一缓冲层，磊晶于一基板上；一源级及一漏极，形成于该缓冲层上；多个P‑N接面，其由多层堆栈的P‑N接面形成于该缓冲层上、及该源级与漏极之间；及一栅极，形成于该P‑N接面的堆栈上。
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