[发明专利]一种高低压集成的工艺器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高低压集成的工艺器件及其制备方法，包括低压增强型、耗尽型N型金属氧化物半导体场效应晶体管，高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管和中高压增强型、耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管构成；所述制备方法为：在N型重掺杂衬底上制作N型外延层，接着在N型外延层上制作不同的P型掺杂阱，然后在P型掺杂阱上同时制作中高压增强型、耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的N型耐压区，最后在P型掺杂阱和N型耐压区上进行源漏注入。本发明所述工艺器件结构基于外延材料集成纵向功率器件，工艺集成度和可靠性高。

主权项

一种高低压集成的工艺器件，包括：N型重掺杂衬底(1)，所述N型重掺杂衬底(1)上设有N型外延层(2)，所述N型外延层(2)上设有低压增强型N型金属氧化物半导体场效应晶体管(35)、低压耗尽型N型金属氧化物半导体场效应晶体管(36)、高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(37)和中高压增强型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(38)、中高压耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(39)，其特征在于，所述低压增强型N型金属氧化物半导体场效应晶体管(35)、所述低压耗尽型N型金属氧化物半导体场效应晶体管(36)和所述中高压增强型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(38)、所述中高压耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(39)均位于第一P型掺杂阱(3)，所述低压增强型N型金属氧化物半导体场效应晶体管(35)、所述低压耗尽型N型金属氧化物半导体场效应晶体管(36)、所述中高压增强型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(38)、所述中高压耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(39)和所述高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(37)之间采用自隔离结构。