[发明专利]半导体光电探测器元件和半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体光电探测器元件和半导体装置，该半导体光电探测器元件的制造成本被降低且精度被提高。该半导体光电探测器元件包括：第一光电二极管，形成在P型硅基板中；第二光电二极管，形成在P型硅基板中并且具有与第一光电二极管相同的结构；由绿色滤色器形成在第一光电二极管上方的滤色器层；由黑色滤色器形成在第二光电二极管上方的滤色器层；以及运算电路部，将第二光电二极管的检测信号从第一光电二极管的检测信号减去。

主权项

一种半导体光电探测器元件，包括：第一光接收元件部，形成在一导电类型的半导体层中；第二光接收元件部，形成在所述半导体层中并具有与所述第一光接收元件部相同的结构；第一滤色器，形成在所述第一光接收元件部上方且透射第一波长范围内的光以及第二波长范围内的光，所述第二波长范围不同于所述第一波长范围；以及第二滤色器，形成在所述第二光接收元件部上方且透射第三波长范围内的光，所述第三波长范围包括在所述第二波长范围内，其中所述半导体光电探测器元件构造为计算所述第一光接收元件部的检测信号与所述第二光接收元件部的检测信号之间的差。