[发明专利]接触孔偏移检测方法以及检测结构有效
| 申请号： | 201010267390.0 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376601A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 吴浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/00;G01B11/14;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种接触孔偏移检测方法以及检测结构，所述方法包括：提供晶圆，在检测区域内半导体衬底上至少形成两组平行于平面坐标轴且正交排布的检测图形；所述检测图形包括沿其排布方向间隔设置的第一图形以及第二图形，所述第一图形与第二图形的导电性质具有差异，且相邻的第一图形之间具有第一间距；进行接触孔制作工艺，分别在各检测图形上形成沿坐标轴方向排布的接触孔，使得相邻的接触孔之间具有不同于第一间距的第二间距；采用电子束扫描晶圆的表面，并获取晶圆表面各接触孔位置的扫描亮度；根据各接触孔位置的扫描亮度，判断接触孔的局部偏移方向以及幅度。本发明能够精确检测晶圆上接触孔的偏移方向以及幅度。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 偏移 检测 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
一种接触孔偏移检测方法，用于检测机台进行接触孔制作工艺时的局部偏移情况，其特征在于，包括：提供包括半导体衬底的晶圆，在晶圆的检测区域内，半导体衬底上至少形成两组平行于平面坐标轴且正交排布的检测图形；所述检测图形包括沿其排布方向间隔设置的第一图形以及第二图形，所述第一图形与第二图形的导电性质具有差异，且相邻的第一图形之间具有第一间距；进行接触孔制作工艺，分别在各检测图形上形成沿坐标轴方向排布的接触孔，使得相邻的接触孔之间具有不同于第一间距的第二间距；采用电子束扫描晶圆的表面，并获取晶圆表面各接触孔位置的扫描亮度；根据各接触孔位置的扫描亮度，判断接触孔的局部偏移方向以及幅度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
