[发明专利]磁阻存储器的形成方法

摘要

一种磁阻存储器的形成方法，包括：提供基底，所述基底中并列形成有底电极和互连结构，所述底电极上形成有磁隧道结；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述基底、底电极、磁隧道结和互连结构；在所述第一介质层上直接形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层，所述第二介质层的材料不同于所述第一介质层；刻蚀所述第二介质层，在所述磁隧道结和互连结构上方分别形成第一开口和第二开口；对所述第一开口和第二开口底部的第一介质层刻蚀后形成第一通孔和第二通孔；分别在所述第一通孔和第二通孔中形成栓塞，所述第一介质层位于所述磁隧道结侧壁部分的厚度满足：本发明避免了栓塞与底电极之间的短路问题。

主权项

1.一种磁阻存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底中并列形成有底电极和互连结构，所述底电极上形成有磁隧道结；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述基底、底电极、磁隧道结和互连结构；在所述第一介质层上直接形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层，所述第二介质层的材料不同于所述第一介质层；刻蚀所述第二介质层，在所述磁隧道结和互连结构上方分别形成第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口暴露所述第一介质层；对所述第一开口和第二开口底部的第一介质层刻蚀后形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和第二通孔分别暴露出所述磁隧道结和互连结构；分别在所述第一通孔和第二通孔中形成栓塞，所述第一介质层位于所述磁隧道结侧壁部分的厚度满足：其中，d为所述第一介质层位于所述磁隧道结侧壁部分的厚度，V_CD为所述第一通孔的特征尺寸，M_CD为所述磁隧道结的特征尺寸，OVL_off为光刻工艺中的对准偏差。