[发明专利]提高对准精度的方法有效

专利信息
申请号: 201010267527.2 申请日: 2010-08-25
公开(公告)号: CN102386322A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 李锦;金正起;倪景华;于书坤 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L43/12 分类号: H01L43/12;H01L27/22
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 牛峥;王丽琴
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种提高对准精度的方法,对前层对准标记和前层叠对标识所对应窗口内的绝缘层进行刻蚀形成沟槽,在覆盖当层材料层之后,具有起伏的平面,因此可以在当层曝光时,直接对位于前层对准标记之间的沟槽进行对准,当层曝光后直接利用位于前层叠对标识之间的沟槽进行偏移检测。采用本发明的方法,大大提高了当层为不透明材料的情况下的对准精确度。
搜索关键词: 提高 对准 精度 方法
【主权项】:
一种提高对准精度的方法,该方法应用于包括切割道和芯片的晶片,该方法包括下列步骤:提供一导电前层图案,包括芯片上的前层电路图形,以及切割道内嵌于绝缘层中的前层对准标记、第一套前层叠对标识和第二套前层叠对标识;根据曝光机台对准前层对准标记,利用掩膜板图形进行光刻,在所述导电前层图案表面形成图案化的第一光阻胶层窗口,该第一光阻胶层窗口为分别与前层对准标记和第一套前层叠对标识相对应的第一窗口和第二窗口,光刻后采用第二套前层叠对标识进行偏移检测;对所述第一和第二窗口内的绝缘层刻蚀,保留第一和第二窗口内的前层对准标记和第一套前层叠对标识,分别形成位于前层对准标记之间的第一沟槽和位于第一套前层叠对标识之间的第二沟槽;沉积当层不透明材料层,所述当层不透明材料层未填充满所述第一和第二沟槽;根据曝光机台对准第一沟槽,进行光刻,在芯片上形成当层电路图形掩膜,光刻后采用第二沟槽进行偏移检测;采用当层电路图形掩膜进行刻蚀,在芯片上的前层电路图形上方形成当层电路图形。
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