[发明专利]用于测量底部抗反射涂层材料的挥发特性的方法有效
| 申请号： | 201010267570.9 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376602A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 罗大杰;安辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于测量底部抗反射涂层材料的挥发特性的方法，所述方法包括以下步骤：在晶片上涂覆底部抗反射涂层；以第一温度对晶片烘烤持续第一时间；测量底部抗反射涂层的厚度以得到第一厚度；以第二温度对晶片烘烤持续第二时间；测量底部抗反射涂层的厚度以得到第二厚度；使用第一厚度和第二厚度来测量底部抗反射涂层的材料的挥发特性。根据本发明的方法，可以在半导体制造过程中，对于不同底部抗反射涂层材料的“挥发度”特性进行测量。能够保证在进行测量和分析后得出准确的结论，有助于通过简便的步骤得到底部抗反射涂层材料的最优方案，用以选择最低“挥发度”特性的底部抗反射涂层材料，从而降低底部抗反射涂层导致的机台故障等风险。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 底部 反射 涂层 材料 挥发 特性 方法 | ||
【主权项】：
一种用于测量底部抗反射涂层材料的挥发特性的方法，所述方法包括以下步骤：在晶片上涂覆底部抗反射涂层；以第一温度对所述晶片烘烤持续第一时间；测量所述底部抗反射涂层的厚度以得到第一厚度；以第二温度对所述晶片烘烤持续第二时间；测量所述底部抗反射涂层的厚度以得到第二厚度；使用所述第一厚度和所述第二厚度来测量所述底部抗反射涂层的材料的挥发特性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010267570.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
