[发明专利]压电谐振器结构

摘要

本发明公开一种压电谐振器结构，包括：具有顶面、底面、第一末端和对应的第二末端以及中间部分的基底、声反射层、第一电极、压电层和第二电极，其中，基底、声反射层、第一电极、压电层和第二电极由下到上依次设置，并且，基底、声反射层、第一电极、压电层和第二电极的重叠区域定义为有效激励区。一系列的空气间隙和干涉结构在压电层和第二电极的第一末端和第二末端处形成以提高谐振器的电学性能。本发明的压电谐振器结构极大提高了谐振器在并联谐振频率附近的Q值，同时不影响谐振器在串联谐振频率附近的Q值和寄生模式强度，也不会降低谐振器的机电耦合系数。采用本发明谐振器结构的滤波器具有更优越的电学特性，如更低的通带插入损耗等。

主权项

一种压电谐振器结构，其特征在于，包括：(a)基底，具有顶面、底面、第一末端和对应的第二末端以及中间部分；(b)声反射层，具有顶面、底面、第一末端和对应的第二末端以及中间部分，所述的底面置于基底的顶面；(c)第一电极，具有顶面、底面、第一末端和对应的第二末端以及中间部分，所述的底面置于声反射层的顶面；(d)压电层，具有顶面、底面、第一末端和对应的第二末端以及中间部分，所述的底面置于第一电极的顶面；(e)第二电极，具有顶面、底面、第一末端和对应的第二末端以及中间部分，所述的底面置于压电层的顶面；其中，基底、声反射层、第一电极、压电层和第二电极的重叠区域定义为有效激励区。