[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010268531.0 | 申请日： | 2010-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315260A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 方演燮;李俊昊 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;孙海龙 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体元件及其制造方法。提供了一种使用低压逻辑井的高压/高功率半导体元件。该半导体元件包括衬底，通过在衬底的表面上的第一位置掺杂而形成的第一井区，通过在衬底的表面上的第二位置以与第一井区不同的类型进行掺杂而形成的第二井区，在第一井区和所述第二井区之间的重复区，在该重复区中，所述第一井区和所述第二井区共存，在重复区表面上伸展的、在第一井区和第二井区中形成的绝缘层，在绝缘层上形成的栅极，在第一井区的上部上形成的源区，以及在第二井区的上部上形成的漏区。该半导体元件还包括元件隔离单元。该元件隔离单元在第二井区中的漏区的一部分上形成，并且，可以形成为深度比所述第二井区更浅的浅沟隔离(STI)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，所述半导体元件包括：衬底；通过在所述衬底的表面上的第一位置掺杂而形成的第一井区；通过在所述衬底的表面上的第二位置以与所述第一井区不同的类型进行掺杂而形成的第二井区；在所述第一井区和所述第二井区之间的重复区，在所述重复区中，所述第一井区和所述第二井区共存；在所述第一井区和所述第二井区中形成的绝缘层，所述绝缘层在所述重复区的表面上伸展；在所述绝缘层上形成的栅极；在所述第一井区的上部上形成的源区；以及在所述第二井区的上部上形成的漏区。
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