[发明专利]一种集成电路中静电放电防护结构有效
申请号: | 201010268550.3 | 申请日: | 2010-08-31 |
公开(公告)号: | CN101937917A | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 倪劼;陈雷;孙华波;禹放斌;林彦君;王文锋;王雷;张健;尚祖宾;周雷 | 申请(专利权)人: | 北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 杨虹 |
地址: | 100076 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种集成电路中静电放电防护结构,包括第一类静电放电防护器件和第二类静电放电防护器件,第一类静电放电防护器件为二极管,第二类静电放电防护器件为带齐纳二极管的分段双级晶体管,带齐纳二极管的分段双级晶体管由分段双级晶体管、发射极串联电阻、集电极串联电阻、基极电阻的和齐纳二极管组成。集成电路的静电放电防护结构对输入缓冲器、输出缓冲器、电源轨线、地轨线提供了静电放电保护,其中的静电放电防护器件在版图中使用了分段双极晶体管结构,使用虚设多晶硅栅结构在各段双极晶体管中构成了一个低触发电压的齐纳二极管和发射极、集电极的串联电阻。本发明有效的提高了集成电路的静电放电防护能力,降低了静电放电防护电路的触发电压,提高了静电放电防护器件的均匀导通性,且有效的节省了静电放电防护器件的版图面积。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成电路 静电 放电 防护 结构 | ||
【主权项】:
一种集成电路中静电放电防护结构,其特征在于:包括第一类静电放电防护器件和第二类静电放电防护器件,使用至少一个连接在输入压焊点与电源轨线间的第一类静电放电防护器件、至少一个连接在输入压焊点与地轨线间的第二类静电放电防护器件和至少一个镇流电阻来保护集成电路的输入缓冲器,使用至少一个连接在输出压焊点与电源轨线间的第一类静电放电防护器件和至少一个连接在输出压焊点与地轨线间的第二类静电放电防护器件来保护集成电路的输出缓冲器;使用至少一个连接在电源轨线与地轨线间的第二类静电放电防护器件来保护电源轨线和地轨线之间的器件,其中第一类静电放电防护器件为二极管,第二类静电放电防护器件为带齐纳二极管的分段双级晶体管,带齐纳二极管的分段双级晶体管由分段双级晶体管、发射极串联电阻、集电极串联电阻、基极电阻的和齐纳二极管组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的