[发明专利]半导体制造工艺测试方法及装置有效
| 申请号： | 201010268631.3 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102386115A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 黄玮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体制造工艺测试方法及装置。所述方法具体包括：获取样品晶片测试结构在不同光刻工艺条件下和不同刻蚀工艺条件下的条宽、梯形化系数及对称性系数，并存储相应的光刻后测试成像图和刻蚀后测试成像图；从光刻后测试成像图和刻蚀后测试成像图中分别选择符合预设条件的成像图作为相应的标准模板；获取产品晶片测试结构光刻后或刻蚀后的条宽、梯形化系数和对称性系数，并将上述三个数值分别与相应标准模板中对应的数值进行比对，进而确定所述产品晶片是否需要返工或者报废。通过本发明所提供的测试方法及装置，不仅能测试出待测结构的一维宽度，还能测出其二维轮廓形貌，从而可提高产品的成品率，降低产品的报废率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 工艺 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体制造工艺测试方法，其特征在于，包括：获取样品晶片测试结构在不同光刻工艺条件下的条宽、梯形化系数和对称性系数，并存储相应的光刻后测试成像图；对光刻后的样品晶片测试结构在不同刻蚀工艺条件下进行刻蚀，获取刻蚀后的条宽、梯形化系数和对称性系数，并存储相应的刻蚀后测试成像图；从光刻后测试成像图和刻蚀后测试成像图中分别选择符合预设条件的成像图作为相应的标准模板；获取产品晶片测试结构光刻后或刻蚀后的条宽、梯形化系数和对称性系数，并将上述三个数值分别与相应标准模板中的条宽、梯形化系数和对称性系数进行比对，进而确定所述产品晶片是否需要返工或者报废。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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