[发明专利]一种低漏电二极管芯片制作方法无效
| 申请号： | 201010269751.5 | 申请日： | 2010-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102386092A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 陶小鸥;杨秋华 | 申请（专利权）人： | 南通康比电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 赵绍增 |
| 地址： | 226500*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低漏电二极管芯片制作方法，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、扩磷、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、扩硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍；其特征在于：所述单面喷砂和涂硼前清洗工序之间增加预清洗工序；所述预清洗工序为两步超声清洗。本发明工艺在传统工艺上作改进，将单面喷砂和涂硼前清洗工序之间增加预清洗工序，增加该工序后硅片表面的杂质总量会少很多，再用后面同样清洗方法后，漏电会降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 漏电 二极管 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种低漏电二极管芯片制作方法，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、扩磷、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、扩硼、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍；其特征在于：所述单面喷砂和涂硼前清洗工序之间增加预清洗工序；所述预清洗工序为两步超声清洗，第一步超声清洗为采用哈摩粉水溶液在90℃±10℃的温度下超声清洗10分钟，用纯水冲洗10分钟；第二步超声清洗为：常温流动的水超声清洗20±1min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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