[发明专利]混合封装栅极可控的半导体开关器件及制备方法

摘要

本发明涉及一种混合封装的栅极可控的半导体开关器件(HPSD)，具有一个互联的由第一半导体晶片制成的绝缘栅极晶体管(IGT)，以及一个由第二半导体晶片制成的整流栅极晶体管(RGT)。RGT栅极和源极分别电连接到IGT源极和漏极上。HPSD含有一个具有多个封装端，用于将HPSD与其外部器件互联的封装基座。IGT晶片焊接在封装基座上方。第二半导体晶片形成在混合半导体外延层上方，混合半导体外延层覆盖在电绝缘衬底(EIS)上方，从而构成一个RGT晶片。RGT晶片通过EIS，堆积并焊接在IGT晶片上方。IGT、RGT晶片以及封装端通过接合引线互联。因此，HPSD是IGT晶片和RGT晶片的堆积式封装，减少了封装引脚，同时允许在IGT上灵活地放置器件的端电极。

主权项

一种混合封装的3‑端栅极可控的半导体开关器件，其特征在于，具有一个互联的由第一半导体晶片制成的绝缘栅极晶体管，以及一个由带有混合半导体层的第二半导体晶片制成的整流栅极晶体管，整流栅极晶体管的器件端电极位于第二半导体晶片的前表面上，整流栅极晶体管的栅极电极和源极电极分别电连接到绝缘栅极晶体管的源极电极和漏极电极上，半导体开关器件包括：一个具有多个封装终端的封装基座，用于将半导体开关器件与其外部器件互联；固定在封装基座上方的绝缘栅极晶体管晶片；一个电绝缘衬底及其上方所形成的混合半导体层，构成整流栅极晶体管晶片，整流栅极晶体管晶片通过电绝缘衬底堆积并固定在绝缘栅极晶体管晶片上方；以及用于互联绝缘栅极晶体管晶片、整流栅极晶体管晶片以及封装终端的互联线路。