[发明专利]SiGe HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管及制造方法

摘要

本发明公开了一种SiGe HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管，包括基区、集电区和发射区。基区形成有源区中且基区底部延伸进入浅槽场氧的底部；集电区由形成于基区左右两侧的浅槽场氧的底部的并和基区相连接的两个P型赝埋层组成。基区通过N型深阱和二个N型赝埋层相连通，N型赝埋层形成于浅槽场氧的底部并和P型赝埋层相隔一距离。通过深孔接触和P型赝埋层、N型赝埋层相连接分别引出集电极和基极。发射区有形成于有源区上的P型锗硅外延层组成。本发明公开了一种SiGe HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管的制造方法。本发明能用作高速、高增益HBT电路中的输出器件，能有效缩小器件面积、提高器件的频率特性。

主权项

一种SiGe HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管，其特征在于：所述寄生横向型PNP三极管形成于P型硅衬底上的N型深阱中，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一基区，由形成于所述有源区中的N型离子注入区组成，所述基区的纵向深度大于所述浅槽场氧底部的深度，所述基区的底部在横向上延伸进入所述基区左右两侧的所述浅槽场氧的底部；一集电区，由形成于所述基区左右两侧的所述浅槽场氧的底部的两个P型赝埋层组成，两个所述P型赝埋层各自位于所述基区左侧或右侧的所述浅槽场氧的底部且呈对称结构，各所述P型赝埋层为P型离子注入区，各所述P型赝埋层的宽度小于其顶部的所述浅槽场氧的宽度，各所述P型赝埋层都和其旁侧的所述基区延伸进入所述浅槽场氧的底部的部分相连接形成所述集电区和所述基区的接触，通过在各所述P型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成深孔接触引出集电极；二个N型赝埋层，各所述N型赝埋层各自位于所述基区左右两侧的所述浅槽场氧的底部且呈对称结构、且和所述基区左右两侧的所述P型赝埋层相隔一距离，各所述N型赝埋层为N型离子注入区，各所述N型赝埋层的宽度小于其顶部的所述浅槽场氧的宽度，各所述N型赝埋层通过所述N型深阱和所述基区形成通路并通过在各所述N型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中做深孔接触引出基极；一发射区，由形成于所述有源区上的一P型锗硅外延层组成，所述发射区和所述基区形成接触并通过形成于所述发射区顶部的金属接触引出发射极。