[发明专利]SONOS器件及制造方法及其单元信息擦写方法

摘要

本发明公开了一种SONOS器件，其栅结构由下往上依次为第一层氧化硅、第二层氮化硅、第三层氧化硅、第四层多晶硅。第一层氧化硅、所述第二层氮化硅、所述第三层氧化硅组成一ONO多层膜，ONO多层膜为SONOS器件的信息存储单元。第一层氧化硅的厚度大于所述第三层氧化硅的厚度。第三层氧化硅采用多晶硅自氧化技术制备。本发明还公开了一种SONOS器件的制造方法。本发明还公开了一种SONOS器件的单元信息的擦写方法。本发明采用沟道热电子注入效应进行电子写入能大大提高器件的操作速度。本发明通过第三层氧化硅进行电子擦除，以及采用较厚的第一层氧化硅和良好的第三层氧化层制备工艺，使得本发明器件的可靠性大大提高。

主权项

一种SONOS器件，包括一源区和一漏区，所述源区和所述漏区形成于硅衬底中并相隔一横向距离，所述源区和所述漏区之间的区域为沟道区，其特征在于：在所述沟道区表面上形成一栅结构，所述栅结构由下往上依次为第一层氧化硅、第二层氮化硅、第三层氧化硅、第四层多晶硅；其中所述第一层氧化硅、所述第二层氮化硅、所述第三层氧化硅组成一ONO多层膜，所述ONO多层膜为SONOS器件的信息存储单元；所述第四层多晶硅接栅极；所述第一层氧化硅的厚度大于所述第三层氧化硅的厚度，且所述第三层氧化硅的厚度小于等于60埃、所述第一层氧化硅的厚度大于60埃；所述第二层氮化硅的厚度为30埃～150埃。