[发明专利]聚合物薄膜纳米掺杂装置及其掺杂方法无效
申请号: | 201010270589.9 | 申请日: | 2010-09-02 |
公开(公告)号: | CN101921993A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 刘景全;何庆;杨春生;芮岳峰;闫肖肖 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种聚合物制备技术领域的基于化学气相沉积的聚合物薄膜纳米掺杂装置及其掺杂方法,其装置包括:底座、支撑架、顶架以及旋转离心腔,通过将掺杂扬尘装置固定安装于化学气相沉积设备沉积腔内并装填好待掺杂粉体后,将基底放置于沉积旋转台上并密封化学气相沉积密封腔抽真空后开启沉积,待聚合物气体充满沉积腔后启动掺杂扬尘装置,将纳米粉体连续弥散于真空腔内和聚合物蒸汽混合后自然下落沉积于基底材料表面,形成掺杂聚合物薄膜。本发明在原有化学气相沉积原料的前提下将一种或者多种具有特定性能纳米粉体材料与该种聚合物气体混合后在目标基底上沉积获而获得具有多种功能特性的掺杂薄膜。 | ||
搜索关键词: | 聚合物 薄膜 纳米 掺杂 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种基于化学气相沉积的聚合物薄膜纳米掺杂装置,包括:底座、支撑架、顶架以及旋转离心腔,其中:底座位于最底端,支撑架插于底座预开孔上,支撑架上部与顶架固定连接,旋转离心腔设置于顶架的下方,其特征在于:所述的离心腔包括:粉末容器、出口嘴以及旋转电机,其中:旋转电机上部固定连接于顶架,旋转电机的旋转轴连接于粉末容器,粉末容器的底部垂直向下安装出口嘴。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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