[发明专利]太阳能硅片湿法自动分片方法无效
申请号: | 201010270696.1 | 申请日: | 2010-09-02 |
公开(公告)号: | CN101950778A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 董维来;孙红喆;陈伟;孙建中 | 申请(专利权)人: | 董维来 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 王丽英 |
地址: | 300459 天津市塘*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了太阳能硅片湿法自动分片方法,该方法包括以下步骤:在水槽内利用高压气液混合射流冲击叠放在一起的多片硅片的侧面,在多片硅片间注入空气和水的混合流体以破坏造成叠放在一起的硅片间粘连的层间负压;层间负压被破坏后位于上层的硅片由于气泡浮力作用向上浮起,此时利用吸附传送装置逐片吸取浮起的电池片并将其搬运出水槽,以使多片硅片逐片分离。本发明的优点在于:将待分硅片放置在水中,避免了硅片暴露在空气中受到污染及氧化、且采用负压吸取和传送带实现全程柔性接触,进一步降低了碎片率,同时减少了人为因素引入的硅片污染。 | ||
搜索关键词: | 太阳能 硅片 湿法 自动 分片 方法 | ||
【主权项】:
太阳能硅片湿法自动分片方法,其特征在于它包括以下步骤:在水槽内利用高压气液混合射流冲击叠放在一起的多片硅片的侧面,在多片硅片间注入空气和水的混合流体以破坏造成叠放在一起的硅片间粘连的层间负压;层间负压被破坏后的位于上层的硅片由于气泡浮力作用向上浮起,此时利用吸附传送装置逐片吸取浮起的电池片并将其搬运出水槽,以使多片硅片逐片分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的