[发明专利]氮化硅涂层石英坩埚的制备方法无效
| 申请号： | 201010271031.2 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101913776A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 唐竹兴 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;C30B15/10 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 马俊荣 |
| 地址： | 255086 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化硅涂层石英坩埚的制备方法，其特征在于：包括陶瓷浆料制备、涂覆涂层、干燥和烧成，将粒度为0.01-3μm的单晶硅硅粉体和粒度为0.01-3μm二氧化硅粉体混合形成陶瓷结合剂，再将陶瓷结合剂与粒度为1-5μm氮化硅粉体和乙醇在球磨机中制成氮化硅陶瓷浆料，经真空处理后喷涂到未经烧制的石英坩埚表面形成厚度为10-100μm的氮化硅涂层，在80～100℃的温度下干燥，然后在1140℃-1300℃的温度氮气气氛烧制6-8小时制得氮化硅涂层石英坩埚。本发明制备的氮化硅涂层石英坩埚用于熔炼单晶硅和多晶硅，由于该方法为氮化硅涂层和石英坩埚同时烧成，具有涂层结合强度高，成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 涂层 石英 坩埚 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅涂层石英坩埚的制备方法，其特征在于：包括陶瓷浆料制备、涂覆涂层、干燥和烧成，将粒度为0.01 3μm的单晶硅硅粉体和粒度为0.01 3μm二氧化硅粉体混合形成陶瓷结合剂，再将陶瓷结合剂与粒度为1 5μm氮化硅粉体和乙醇在球磨机中制成氮化硅陶瓷浆料，经真空处理后喷涂到未经烧制的石英坩埚表面形成厚度为10 100μm的氮化硅涂层，在80～100℃的温度下干燥，然后在1140℃ 1300℃的温度、氮气气氛烧制6 8小时一次烧制制得氮化硅涂层石英坩埚。
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