[发明专利]一种提取有效栅极长度的方法有效
| 申请号： | 201010271192.1 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102386116A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 韦敏侠;张瑛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B7/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提取MOS晶体管有效栅极长度的方法，该方法包括：提供一参考MOS晶体管，所述参考MOS晶体管的参数包括总电容Cta、单位电容Cua、以及版图设计参数栅极长度La、栅极的数目Na，以及栅极宽度Wa；提供一待测MOS晶体管，所述待测MOS晶体管的参数包括有效栅极长度Lb、总的MOS晶体管总电容Ctb、单位电容Cub、以及版图设计参数栅极的数目Nb、栅极宽度Wb。通过测试参考MOS晶体管与待测MOS晶体管的总电容从而算得所述有效栅极长度Lb。由于电容的测试远比直接用样品物理方法测试简单，因此本实施例的方法有利于减少器件浪费，降低测试的成本，提高有效栅极长度的测试速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提取 有效 栅极 长度 方法 | ||
【主权项】：
一种提取MOS晶体管有效栅极长度的方法，该方法包括：提供一参考MOS晶体管，所述参考MOS晶体管的参数包括总电容Cta、单位电容Cua、以及版图设计参数栅极长度La、栅极的数目Na，以及栅极宽度Wa；提供一待测MOS晶体管，所述待测MOS晶体管的参数包括有效栅极长度Lb、总的MOS晶体管总电容Ctb、单位电容Cub、以及版图设计参数栅极的数目Nb、栅极宽度Wb；其特征在于，所述栅极长度La视为所述参考MOS晶体管的有效栅极长度；所述参考MOS晶体管与待测MOS晶体管在同一工艺流程中进行；所述有效栅极长度Lb为：Lb＝(Na×La×Wa×Ctb)/(Nb×Wb×Cta)
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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